OH12AF-L 锑化铟霍尔元件|可调节线性输出
锑化铟（InSb)霍尔元件是用化合物半导体材料锑化铟制成，以霍尔效应为工作原理，可将磁场强度信号线性的转变成电压信号。典型应用检测磁性物质的旋转或者位置（用在无刷直流电机，无触点开关）检测磁场（如无接触电流传感器等）。输入/输出电阻：240至550Ω @ I=0.1mA，Vin＝1V，B＝500G（恒定电压），输出电压：123至320mV：C级：168至204mV，D级：196至236mV , E 级：228 ~ 274mV F 级：228 ~ 274mV
| 产品型号 | OH12AF, OH12AF-L, OH12B |
|---|---|
| 输出电流 (mA) | 20mA |
| 输出类型 | 模拟输出 |
| 响应磁极 | N/S |
| 输出霍尔电压 (VH) | 168 to 274 mV, 196 to 320 mV |
| 输入电阻 | 240 to 550 Ω |
| 输出电阻 | 240 to 550 Ω |
| 偏置电压 | -7 to +7 mV |
| 工作温度 (°C) | -40 to 120 ℃ |
| 封装外型 | SOT143,b背面编带, SOT143,正面编带, SOT143直腿, 直插 |
| 可替换 | HW101A, HW101A-4T, HW302B, HW322B-15E, NH520, NH520R, NH520SR, NHE313 |
产品介绍
OH12AF-L 霍尔效应元件是一款高性能磁传感器，支持宽工作温度范围（-40 至 120℃）和高灵敏度输出电压。该元件具有体积小、性能稳定、抗干扰能力强的特点，特别适用于工业控制、家电设备和汽车电子等领域。OH12AF-L 提供三种精度等级（F、E、D），通过 SOT143 封装，便于批量化生产和应用。
等级定义: F (266 ~ 320mV), E (228 ~ 274mV)
产品特点
- 宽工作温度范围：-40 至 120℃
- 高灵敏度输出：196 至 320 mV
- 三种精度等级：F（266-320 mV）、E（228-274 mV）、D（196-236 mV）
- 采用 SOT143 封装，适合工业和消费电子应用
- 高抗干扰性能和长期可靠性
电参数
| 参数 | 符号 | 测量条件 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 输出霍尔电压 | VH | Vin=1V, B=500G | 196 | 320 | mV |
| 输入电阻 | Rin | I=0.1mA | 240 | 550 | Ω |
| 输出电阻 | Rout | I=0.1mA | 240 | 550 | Ω |
| 偏移电压 | VO | Vin=1V, B=0G | -7 | +7 | mV |
磁参数
| Output Hall Voltage, VH (mV) | Rank | Mark | Measurement Conditions |
|---|---|---|---|
| 196 ~ 236 | D | •SD | Vin = 1V, B = 500G (Constant Voltage) |
| 228 ~ 274 | E | •SE | |
| 266 ~ 320 | F | •SF |
应用领域
- 工业自动化控制
- 家电设备磁场传感
- 汽车电子系统
- 非接触式开关和位置检测
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OH12AF-L锑化铟霍尔元件
